产品介绍：BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统、反应离子刻蚀（RIE）及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）系统

用于反应离子刻蚀（RIE）及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）的等离子处理系统。

BM8-II是一款定义反应离子刻蚀（RIE）及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）等离子处理新概念的等离子处理系统。

BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统基于模块化设计制造，采用一款通用的真空处理舱及机柜。等离子处理系统采用平板式电极、反应离子刻蚀（RIE）电极及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）电极模块化设计理念，方便整体系统的组装及配置。

BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统带给用户方便操作，提供多种等离子处理工艺、方便维护及性价比高的反应离子刻蚀（RIE）/沉积等离子处理系统，比业内其它反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统更具竞争力。

BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-主要性能简介

等离子工艺处理的研发需要多功能且可靠的等离子处理系统。为了满足等离子研究日新月异的要求，用户选购的系统设备满足最大范围的等离子工艺参数需要，工艺验证需要极其高的可重复性，必须方便改造用于新的等离子工艺需要。我们相信BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统系列干法工艺等离子系统满足这些非常苛刻的要求。. BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统是一款用于研究，工艺开发及其小批量生产的等离子系统工具，用于最大八英寸基片的精确等离子刻蚀及沉积。BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统可以在多片或单片处理模式下操作。

在设计BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统之初，主导指示就是创造一款融合高质量、可靠、重复性及其用于生产系统的工艺控制能力为一体的等离子系统；同时极大的降低主机成本、维护成本及占地面积小等要求。

BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统具有独特的机体结构和电极设计，方便安装在层流模块中或是超净间。BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的建造采用高质量认可的部件、模块化装配、多功能真空舱体及其电极设计、结构紧凑、自动化及业内认可工艺程序使得BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统成为工艺工程师首选干法等离子处理设备。

BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-主要性能介绍

·         一体式真空舱体构造

·         原位电极间距设计（PEVCD版）

·         可更换工艺气体喷头

·         业内认可的工艺程序

·         高质量业内认可的主要部件

·         终点探测监测（Endpoint detection选配）

·         多种电极配置

·         自动射频（RF）匹配器

·         下游压力控制（Downstream pressure control选配）

·         电脑控制，基于Windows编程

·         多款真空泵浦选配：机械泵、机械泵/风机，涡轮增压泵浦

·         单真空舱及双真空舱结构

BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-应用

基于系统建造的高质量处理模块，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统满足广泛的等离子处理工艺条件，无论是复杂的亚微米级反应离子刻蚀 （RIE）还是高质等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）薄膜的沉积。以下是我们，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的典型工艺处理应用，基与众多客户群的紧密协作，我们开发出业内认可的工艺程序，保证系统满足用户所需。用于生产制造的系统设备均采用最高质量的部件，保证，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统提供最大可能的正常运行时间、 可靠性、重复性及耐用性。

·          故障分析应用（Failure analysis）

·         材料改性（Material modification）

·         粘合促进等离子descum

·         表面处理（Surface treatment）

·         各向异性各项同性及刻蚀（Anisotropic and isotropic etching）

·         金属刻蚀（Metal etching）

·         Si02（二氧化硅）, Si3N4 （氧化硅）及 SiOxNy（氮氧化矽）薄膜沉积

·         II-V 刻蚀应用（III-V et